本文標題："光刻、浸蝕-制備完整的電路芯片的工藝檢測顯微鏡"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類(lèi): 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
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光刻、浸蝕-制備完整的電路芯片的工藝檢測顯微鏡
單晶與半導體工藝
單晶與多晶材料的主要差別是在單晶材料中沒(méi)有晶界。在一些材料
應用的領(lǐng)域，沒(méi)有晶界是一種非常希望的微觀(guān)組織。例如，使用單晶的
鎳基合金可以改善其抗氧化性與耐蠕變的能力，從而提高渦輪葉片的耐
高溫性能，但這也可以用晶界的存在來(lái)增強，這在第五章與第九章中已
經(jīng)做了解釋。在我們選擇諸如鉆石、紅寶石、藍寶石等天然寶石時(shí)，對
單晶的偏愛(ài)也是顯然后。然而，單晶的更多的應用是在半導體工業(yè)中。
在半導體工業(yè)中需要單晶的原因是因為缺陷會(huì )大大降低這些材料的
電氣特性。所以半導體工業(yè)不僅需要沒(méi)有晶界的單晶材料，而且要求材
料的位錯、雜質(zhì)原子，以及其他點(diǎn)缺陷的濃度都要低。
制備完整的電路芯片的工藝步驟。這些工藝包括氧化、光刻、浸蝕
、擴散、離子注入、互連、裝配、以及包裝等。
半導體工業(yè)中所使用的硅晶體的大多數是用(：noduddd(O)法制備
的。該過(guò)程是一個(gè)簡(jiǎn)單的液-固單元相變體系。然而，為了得到單晶，
液—固相變必須在稍低于熔點(diǎn)的溫度發(fā)生，這是為了得到低的形核速率
與高的長(cháng)大速率。保持熔體在稍高于y。的溫度以保持小的過(guò)冷度，并
從熔體拉出籽晶。
使用籽晶有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)。首先，由于籽晶可以作為非均勻形核的地點(diǎn)
，它可以使相變在高于其它均勻形核點(diǎn)所需要的溫度發(fā)生。其次，籽晶
可以用于使幌晶體的生長(cháng)軸沿著(zhù)與結晶軸平行的方向生長(cháng)。大多數(不
是全部)硅晶體都沿著(zhù)方向軸生長(cháng)。
鑄錠生長(cháng)后，必須經(jīng)過(guò)切片、拋光、刻蝕等，才能用于設備制作。
切片常常由鍍有金剛石的不銹鋼鋸片進(jìn)行。在該過(guò)程中約有30％的鑄錠
作為“鋸屑”損失掉。拋光與刻蝕操作確保晶體的面能夠平行，且沒(méi)有
表面污染。
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