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本文標題:"擴散設備可完成擴散和氧化-電子器件檢測顯微鏡"

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擴散設備可完成擴散和氧化-電子器件檢測顯微鏡

 
  用濕化學(xué)腐蝕法把原來(lái)的多晶層除去,露出原來(lái)的淀積層和氧化
物覆蓋的最初淀積的硅外延層的隔離區。所以,外延爐不僅可以生
長(cháng)外延層,還可以通過(guò)氣相腐蝕和氧化,形成復雜的結構。
 
    擴散設備也可以完成擴散和氧化之外的任務(wù)。一種專(zhuān)門(mén)的技術(shù)
就是退火方法,它可以保持本體半導體的壽命,舉例來(lái)說(shuō),漂移晶
體管的工作很大程度上依賴(lài)于本體半導體的壽命。標準的擴散和氧
化工序會(huì )使壽命降低,不過(guò)半導體的壽命可用退火方法來(lái)保持。在
每次專(zhuān)門(mén)氧化或擴散之后必須進(jìn)行退火;或者在整個(gè)擴散一氧化結
束之后,單獨進(jìn)行退火。根據制造器件的具體情況,制造器件用的
爐子設備必須能夠進(jìn)行必
 

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