本文標題："熔融態(tài)硅的石墨坩堝加工技術(shù)簡(jiǎn)介"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類(lèi): 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
人瀏覽過(guò)-----時(shí)間：2017-10-31 22:10:35
熔融態(tài)硅的石墨坩堝加工技術(shù)簡(jiǎn)介
現代的切克勞斯基拉單晶工藝是在1917年切克勞斯基發(fā)明的金
屬單晶生長(cháng)技術(shù)基礎上發(fā)展而成的。它的基本程序是，將頂端夾有
單晶硅籽晶的夾持桿伸人到含有熔融態(tài)硅的石墨坩堝中，籽晶部分
浸入熔融硅。然后一面旋轉，一面慢慢地拉出籽晶，一般拉取速度
約為每分鐘幾毫米。整個(gè)過(guò)程必須在氬氣氛保護下進(jìn)行。圖13—3
示出了切克勞斯基拉晶爐的結構示意圖。該爐可以用射頻(RF)功率
加熱，也可以用一般的電源加熱。在加熱熔化多晶硅過(guò)程中，可以
添加一定量的摻雜雜質(zhì)，使生長(cháng)的單晶具有設計好的n型或P型性質(zhì)
。摻雜的數量，在單晶棒的徑向截面上是恒定的，但在沿棒的軸向
方向上是有所不同的，好在這種數量的變化是可預知的，所以它不
會(huì )對微電子器件的生產(chǎn)造成嚴重問(wèn)題。
切克勞斯基工藝生長(cháng)的晶體硅純度不是很高，有些時(shí)候，例如
生產(chǎn)功率器件時(shí)，因為需要材料具有很高的載流子遷移率，所以要
求硅有更高的純度，這時(shí)切克勞斯基法已不大適用?？梢圆捎玫姆?/div>
法之一是懸浮區熔技術(shù)，它的生產(chǎn)成本較高
后一篇文章：不同植物葉片光學(xué)合作觀(guān)察實(shí)驗顯微鏡 »
前一篇文章：« 表面質(zhì)量受模具磨損鐵譜分析顯微鏡
tags:材料學(xué),技術(shù),金相顯微鏡,上海精密儀器,
熔融態(tài)硅的石墨坩堝加工技術(shù)簡(jiǎn)介,金相顯微鏡現貨供應
本頁(yè)地址：/gxnews/4557.html轉載注明
本站地址：/
http://www.xianweijing.org/