本文標題："大多數硅酸鹽熔體樣品分析圖像顯微鏡"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類(lèi): 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
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大多數硅酸鹽熔體樣品分析圖像顯微鏡
對于自發(fā)成核系統，在結晶的起始階段必須提供很大的過(guò)冷度，結
晶過(guò)程中釋放出來(lái)的潛熱也必須由界面處導走，如果這部分熱量不
能全部導走，界面附近的溫度將會(huì )升高，AT減小，從而減小了結晶
驅動(dòng)力。一般而言，晶體與玻璃體內能差別越大，則在不穩定過(guò)冷
下，晶化傾向大，在冷卻時(shí)越容易析出晶體。
保護渣結晶的動(dòng)力學(xué)條件
保護渣過(guò)冷液體的結晶過(guò)程可分為成核與晶核長(cháng)大兩個(gè)階段，
成核速度和晶體長(cháng)大速
速率和過(guò)冷度的關(guān)系度都是過(guò)冷度和黏度的函數∞1。溫度較
低時(shí)，晶核形成熱容易導走，因而隨著(zhù)溫度降低，成核加速；但是
隨著(zhù)溫度降低，黏度卻隨著(zhù)迅速增大，在較低溫度下晶核形成減慢
，故在某一溫度下，成核達到一個(gè)極大值。晶體生長(cháng)速度與成核速
度有類(lèi)似的地方。由于晶體生長(cháng)與晶核形成是兩個(gè)不同的過(guò)程，極
大值所在的溫度是不一樣的。對大多數硅酸鹽熔
體來(lái)講，晶粒形成的最大速度是在較低溫度區，而晶體生長(cháng)的最大
速度在較高溫度區。
成核速度、晶體長(cháng)大速度穢和熔體過(guò)冷度之間的
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