本文標題："使用掃描電流顯微鏡對氧化層進(jìn)行量測"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類(lèi): 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
人瀏覽過(guò)-----時(shí)間：2013-4-16 21:15:40
可經(jīng)由微區的電特性量測來(lái)暸解氧化層內漏電流之傳導機制，進(jìn)而分析其薄膜品質(zhì)。然而上述方法仍屬于破壞性的量測方式，
于是我們利用統計電流分布的方式，計算掃描區域的穿隧電流(tunneling current)訊號分布之半高寬值(full-width at half-maximum，FWHM)，
藉FWHM值的變化來(lái)分析薄膜品質(zhì)好壞。首先，掃描電流顯微鏡在零偏壓條件下對氧化層進(jìn)行量測，
由電流分布統計得到初始FWHM值，從進(jìn)行量測的過(guò)程中可知，當施予的偏壓產(chǎn)生微小變化，會(huì )明顯影響其穿隧電流的大小，
當逐漸增加偏壓會(huì )陸續得到其他電流分布的FWHM值，比較各組數據之間的差異，
當設定的偏壓增加至-5.0 V左右會(huì )造成FWHM值有較明顯的上升，其原因是較大的偏壓能提供較高的電場(chǎng)，
導致較大的穿隧電流從試片表面傳導出來(lái)，因而使得電流訊號分布增加，以致于FWHM值上升，
其原理為近代物理的量子穿隧(quantum tunneling)理論，掃描電流顯微鏡在進(jìn)行量測時(shí)，
導電探針與試片會(huì )形成一微小的MOS (metal–oxide– semiconductor)結構，當施予高偏壓會(huì )使得氧化層的能障寬度變窄，
相當于氧化層厚度變薄，此時(shí)電子越過(guò)三角能障區域而產(chǎn)生F-N穿隧電流的機率便會(huì )增加。而根據F-N穿隧理論，若穿隧電流的大小為IFN，
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